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摘要:
提出了一种插入损耗较低、介质薄膜生长在桥膜上的新结构微波MEMS开关.该开关桥膜由介质/金属/硅三种薄膜构成,并采用键合和自停止腐蚀工艺成功制备.详细论述该开关的原理、设计和制备过程.磁控溅射制备出介电常数为24的Ta2O5作为介质薄膜,利用光刻剥离技术使该介质薄膜图形化.实验结果显示,这种介质薄膜在桥膜上的新结构开关的插入损耗较低,在传输线金属薄膜厚度仅为0.5μm的情况下,频率为2GHz时插入损耗仅为0.06dB,在直流到20GHz的频率范围内插入损耗均低于0.5dB.
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文献信息
篇名 电容耦合式微波MEMS开关
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 电容耦合式 微波微机械开关 五氧化二钽薄膜
年,卷(期) 2005,(9) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1727-1730
页数 4页 分类号 TN405
字数 556字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.09.009
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研究主题发展历程
节点文献
电容耦合式
微波微机械开关
五氧化二钽薄膜
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
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