复合式热屏对φ200mm CZSi单晶生长速率和氧含量的影响

• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热屏 氧含量 温度梯度 拉速
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1764-1767
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2563字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.09.016

摘要

对φ200mm太阳能CZSi单晶生长的传统热场进行了改进,施加了复合式热屏.对改进前后热场温度梯度、单晶氧含量进行了实验分析,并对该系统的氩气流场进行了数值模拟.研究了复合式热屏影响拉速和单晶氧含量的机理.实验表明本文采用的复合式热屏和氩气流场可以提高拉速,降低硅单晶氧含量.