用MOCVD在偏(100)GaAs基片上生长空间规则排列的1.3μm InAs量子点

• 作者: 朱洪亮 梁松 潘教清 王圩
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InAs 量子点 MOCVD
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2074-2079
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1136字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.11.006

摘要

用MOCVD技术在偏(1100)GaAs衬底上生长了发光波长在1.3μm的线状空间规则排列InAs量子点.光致发光实验表明,相对于正(100)衬底,偏(100)GaAs衬底上生长的InAs量子点具有更好的材料质量,光谱有更大的强度和更窄的线宽.为了得到发光波长为1.3μm的量子点,对比研究了不同In含量的InGaAs应力缓冲层(SBL)和应力盖层(SCL)的应力缓冲作用.结果表明,增加SCL中In含量能有效延伸量子点发光波长到1. 3μm,但是随着SBL中In的增加,发光波长变化不明显,并且材料质量明显下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱洪亮	中国科学院半导体研究所光电子研究中心	32	94	6.0	7.0
2	王圩	中国科学院半导体研究所光电子研究中心	47	124	6.0	7.0
3	梁松	中国科学院半导体研究所光电子研究中心	5	14	2.0	3.0
4	潘教清	中国科学院半导体研究所光电子研究中心	1	4	1.0	1.0