超大规模集成电路互连电迁移自由体积电阻模型

• 作者: 何亮 吴勇 宗兆翔 庄奕琪 杜磊
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电迁移 Al互连 电阻变化
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5872-5878
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 5813字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.12.063

摘要

将晶核析出的Avrami方程应用于描述超大规模集成电路中金属Al薄膜互连电迁移过程中电阻的演变.根据电子散射理论,晶界电阻主要起源于晶界处空位或者空洞对电子的散射.为了描述这些离子的特征,引入了自由体积的概念,将晶界处电子散射这个复杂的过程简化用自由体积的有效散射截面来描述,从而建立了自由体积与电阻变化的定量关系,统一描述了电迁移过程中不同阶段的电阻变化.数值模拟结果表明,在第一个空洞成核时刻电阻会发生急剧变化,这一结果已被实验所证实.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学微电子研究所	183	1168	15.0	22.0
2	杜磊	西安电子科技大学技术物理学院	99	486	13.0	18.0
3	何亮	西安电子科技大学技术物理学院	36	212	7.0	14.0
4	吴勇	西安电子科技大学微电子研究所	11	64	5.0	8.0
5	宗兆翔	西安电子科技大学技术物理学院	1	11	1.0	1.0