GaAs基单片集成InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型PHEMTs

• 作者: 叶甜春 尹军舰 张海英 李海鸥
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 赝配高电子迁移率晶体管 增强型 耗尽型 阈值电压 GaAs
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 2281-2285
• 页数: 5页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 934字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.12.004

摘要

提出了一种新结构单片集成增强/耗尽型(E/D)InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).外延层材料通过分子束外延技术生长,在室温下,其电子迁移率和二维电子气浓度分别为5410cm2/(V·s)和1.34×1012cm-2.首次提出了普通光学接触曝光分步制作增强与耗尽型的栅技术方法.研制出了单片集成E/D型PHEMTs,获得良好的直流和交流特性,最大饱和漏电流密度分别为300和340mA/mm,跨导为350和300mS/mm,阈值电压为0.2和-0.4V,增强型的fT和fmax为10.3和12.4GHz,耗尽型的fT和fmax为12.8和14.7GHz.增强/耗尽型PHEMTs的栅漏反向击穿电压都为-14V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
2	尹军舰	中国科学院微电子研究所	31	99	6.0	7.0
3	叶甜春	中国科学院微电子研究所	200	911	14.0	18.0
4	李海鸥	中国科学院微电子研究所	6	22	3.0	4.0