低温MOCVD法沉积的GaN/GaAs(001)薄膜中的孪晶现象

• 作者: 刘建平 姜晓明 张纪才 杨辉 梁骏吾 沈晓明 王建峰 王玉田 胡正飞 贾全杰 郭立平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: X射线衍射 金属有机物化学气相沉积 氮化物
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 645-650
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 803字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.04.003

摘要

采用同步辐射XRD极图法对低温MOCVD生长的GaN缓冲层薄膜进行了研究.极图研究表明,低温GaN薄膜中除有正常结晶外还存在一次孪晶和二次孪晶.在χ固定为55°时的{111}ψ扫描中发现了异常的Bragg衍射峰,表明GaN/GaAs(001)低温生长中孪晶现象非常明显.GaAs(001)表面上出现的{111}小面极性会在生长初期影响孪晶成核,实验结果表明孪晶更易在{111}B面即N面上成核.