Cu(In,Ga)Se2材料成分对其电池性能的影响

• 作者: 何青 刘芳芳 周志强 孙云 孙国忠 敖建平 李凤岩
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CIGS薄膜 太阳电池 转换效率 成分比例
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1954-1958
• 页数: 5页
• 分类号: TM615
• 字数: 3626字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.10.017

摘要

利用三步共蒸发法制备铜铟硒薄膜太阳电池中的吸收层CIGS薄膜,采用多种测试手段,研究其成分比例与薄膜的电阻率、载流子浓度、表面粗糙度之间的关系.电阻率为102～103Ω·cm之间,是Cu、Ⅲ族元素、Se配比较为合适的区域.载流子浓度在1015～1016cm-3范围内,薄膜表面粗糙度是随着Cu/(Ga+In)比呈下降趋势,Cu越多,表面越光滑,当Cu/(Ga+In)比超过1.25以后,变化趋势逐渐减弱.当Cu/(Ga+In)比在1.0附近时,粗糙度处于30～60nm之间.在上述范围内,研制出转换效率为12.1%的CIGS薄膜太阳电池.