1.74μm压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器

• 作者: 周帆 朱洪亮 潘教青 王圩 王宝军 王鲁峰 赵谦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分布反馈激光器 压应变 量子阱
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1688-1691
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 804字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.09.002

摘要

制备了1.74μm脊波导结构压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器.采用低压金属有机化合物气相沉积法生长器件材料,应用应变缓冲层防止In的分凝.未镀膜的腔长为300μm的器件阈值电流为11.5mA,100mA时最大输出功率为14mW,边模抑制比为33.5dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱洪亮	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	32	94	6.0	7.0
2	王圩	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	47	124	6.0	7.0
3	潘教青	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	8	44	3.0	6.0
4	周帆	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	28	59	4.0	5.0
5	王宝军	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	27	315	8.0	17.0
6	赵谦	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	4	5	2.0	2.0