大功率氮化镓基LED关键技术研究

• 作者: 伊晓燕 李晋闽 王国宏 王良臣 郭金霞 马龙
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 功率 氮化镓 发光二极管 倒装焊
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 165-169
• 页数: 5页
• 分类号: TN312+.8
• 字数: 3187字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.044

摘要

对大功率氮化镓基LED的关键技术,尤其是大芯片LED的结构设计,p电极的选择与制备,提取效率的提高以及倒装焊技术做了重点的介绍与讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
2	王国宏	中国科学院半导体研究所	41	1911	17.0	41.0
3	马龙	中国科学院半导体研究所	50	495	14.0	21.0
4	王良臣	中国科学院半导体研究所	31	192	8.0	13.0
5	伊晓燕	中国科学院半导体研究所	11	52	4.0	7.0
6	郭金霞	中国科学院半导体研究所	4	8	2.0	2.0