创新制造工艺为后盾ADI iCMOS显著提高模拟IC性能

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作者：

宫丽华

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篇名	创新制造工艺为后盾ADI iCMOS显著提高模拟IC性能
来源期刊	电子测试	学科
关键词
年，卷（期）	2005,（1）	所属期刊栏目	厂商特写
研究方向		页码范围	84
页数	1页	分类号
字数	1029字	语种	中文
DOI	10.3969/j.issn.1000-8519.2005.01.010