GaAs-AlxGa1-xAs双势垒结构中电子共振隧穿寿命

• 作者: 宫箭 梁希侠 班士良
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 双势垒 共振隧穿 寿命
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1929-1933
• 页数: 5页
• 分类号: O471.1
• 字数: 2838字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.10.012

摘要

采用转移矩阵和数值计算相结合的方法求解含时Schrodinger方程,计算了电子在双势垒结构中的构建时间和隧穿寿命.结果表明:构建时间和隧穿寿命对于描述电子隧穿时间特性同等重要.通过研究隧穿时间对结构参数的依赖情况发现,隧穿寿命随阱宽和垒厚的增加而迅速增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	班士良	内蒙古大学理工学院物理系	58	198	8.0	9.0
2	梁希侠	内蒙古大学理工学院物理系	31	64	5.0	6.0
3	宫箭	内蒙古大学理工学院物理系	8	20	2.0	4.0