ZrO2/SiO2多层膜中膜厚组合周期数及基底材料对残余应力的影响

• 作者: 范正修 邵建达 邵淑英
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZrO2/SiO2多层膜 残余应力 膜厚组合周期数
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 3312-3316
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 4389字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.059

摘要

ZrO2/SiO2多层膜由相同沉积条件下的电子束蒸发方法制备而成,通过改变多层膜中高(ZrO2)、低(SiO2)折射率材料膜厚组合周期数的方法,研究了沉积在熔石英和BK7玻璃基底上多层膜中残余应力的变化.用ZYGO光学干涉仪测量了基底镀膜前后曲率半径的变化,并确定了薄膜中的残余应力.结果发现,该多层膜中的残余应力为压应力,随着薄膜中膜厚组合周期数的增加,压应力值逐渐减小.而且在相同条件下,石英基底上所沉积多层膜中的压应力值要小于BK7玻璃基底上所沉积多层膜中的压应力值.用x射线衍射技术测量分析了膜厚组合周期数不同的ZrO2/SiO2多层膜微结构,发现随着周期数增加,多层膜的结晶程度增强.同时多层膜的微结构应变表现出了与所测应力不一致的变化趋势,这主要是由多层膜中,膜层界面之间复杂的相互作用引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵淑英	中科院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术研究与发展中心	18	309	9.0	17.0
5	范正修	中科院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术研究与发展中心	1	9	1.0	1.0
6	邵建达	中科院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术研究与发展中心	1	9	1.0	1.0