InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现

• 作者: 周州 曾庆明 李献杰 王全树 蔡道民 赵永林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InP SHBT 自对准工艺 湿法腐蚀
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 136-139
• 页数: 4页
• 分类号: TN32
• 字数: 1690字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.036

摘要

从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,利用传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺制作了两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果,为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工艺途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵永林		12	39	3.0	5.0
2	周州		2	3	1.0	1.0
3	曾庆明		4	15	3.0	3.0
4	李献杰		19	74	6.0	7.0
5	蔡道民		13	43	3.0	6.0
6	王全树		1	3	1.0	1.0