高频磁场作用下 Al-Si合金初生硅的迁移和分布

• 作者: 任振国 曹志强 秦学智 金俊泽
• 来源期刊: 铸造
• 学科: 工学
• 关键词: 高频磁场 初生硅 净化效率
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 329-332
• 页数: 4页
• 分类号: TG146.2
• 字数: 4748字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-4977.2005.04.005

摘要

通过高频磁场净化试验研究了Al-Si 24%过共晶合金在相同功率,不同净化时间下宏观初生硅相的分布成因及净化效率.结果表明,随着净化时间加长,心部初生硅颗粒逐渐减小、变少,且净化效果也逐渐变佳.采用日本岛津公司EPMA-1600型电子探针探测试样横截面心部硅元素的分布和微观初生硅颗粒的大小,结果表明,当净化时间达到60 s时,心部的初生硅颗粒直径可达1μm,表明对微小非金属夹杂颗粒的去除程度,高频磁场净化法与传统的净化法相比具有无可比拟的效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹志强	大连理工大学铸造工程研究中心	76	670	16.0	21.0
2	金俊泽	大连理工大学铸造工程研究中心	116	1785	22.0	33.0
3	任振国	大连理工大学铸造工程研究中心	5	59	5.0	5.0
4	秦学智	大连理工大学铸造工程研究中心	4	40	3.0	4.0