非掺杂AlGaN/GaN HEMT微波功率器件

• 作者: 周洲 曾庆明 李献杰 王勇 王晓亮
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN HEMT 微波功率器件
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 151-154
• 页数: 4页
• 分类号: TN325.3
• 字数: 2521字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.040

摘要

介绍了非掺杂GaN HEMT微波功率器件的结构、制造工艺和测试结果.制作了几种0.6μm栅长、100～1000μm不同栅宽的器件,对于栅宽分别为100,300和500μm的器件,典型最大跨导为190～170mS/mm;截止频率比较相近,大约为24GHz;而最高振荡频率随栅宽增加而降低,分别为56,46和40GHz.测试了8GHz频率时,不同工作条件下1000μm栅宽器件的连续波微波功率特性:Vds=17V,Id=310mA,Pin=25.19dBm时,Po=30dBm(1W),Ga=4.81dB;Vds=18V,Id=290mA,Pin=27dBm时,Po=31.35dBm(1.37W),Ga=4.35dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓亮	中国科学院半导体研究所	38	212	9.0	12.0
2	曾庆明		4	15	3.0	3.0
3	李献杰		19	74	6.0	7.0
4	王勇		53	98	6.0	7.0
5	周洲		2	10	2.0	2.0