深亚微米功耗优化的简化模型

• 作者: 粟雅娟 魏少军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 解析方法 简化模型 SEM估计方法 DVS ABB
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 595-600
• 页数: 6页
• 分类号: TN431
• 字数: 4161字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.03.033

摘要

结合DVS和ABB技术,同时调整工作电压Vdd和衬底偏置电压Vbs的方法能有效降低深亚微米功耗.在解析方法的基础上提出了已知频率下功耗优化的Vdd,Vbs简化模型.模型中任意频率下对应的优化Vdd,Vbs值中之一为常数,避免了解析方法中的超越方程求解.文章进一步对不同电容时简化模型中的参数提出了近似估计方法SEM.0.18μm和0.07μm工艺参数下模拟试验表明,采用简化模型以及SEM估计方法得到的优化功耗值与解析方法得到的结果十分接近,最大误差为2%和5%,平均误差为0.8%和1%.模拟实验表明本文的模型及方法在保证优化精度的基础上减小了计算复杂度,适用于深亚微米下的功耗优化及评估.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏少军	清华大学微电子学研究所	66	406	9.0	18.0
2	粟雅娟	清华大学微电子学研究所	3	10	2.0	3.0