压电调制反射光谱研究GaAs/Al0.29Ga0.71 As单量子阱

• 作者: 周旭昌 夏长生 王少伟 王茺 陆卫 陈平平 陈效双
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 压电调制反射光谱 单量子阱 分子束外延
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3337-3341
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3469字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.064

摘要

报道了压电调制反射测量系统的建立,应用该系统获得了势阱宽度分别为5nm和25nm的两个GaAs/Al0.29Ga0.71As单量子阱的压电调制反射谱.从图谱中可以看出,在室温下能够较容易地分辨出和轻、重空穴相关联的子带跃迁.在阱宽25nm的样品中还观察到了自旋-轨道跃迁.利用有效质量理论近似计算,对量子阱样品的图谱结构进行了指认,发现实验值和计算值能够较好地符合.