新型SON器件的自加热效应

• 作者: 卜伟海 吴大可 田豫 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: silicon-on-nothing器件 自加热效应 散热通路 空洞层
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1401-1405
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 3678字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.07.022

摘要

分析了自加热效应对SON器件性能的影响,并与SOI器件进行了比较.提出构造散热通路的方法来抑制SON器件的自加热效应,分析了不同通路情况对自加热效应的抑制程度.还对散热性能较好的具有不连续空洞埋层的SON器件进行了研究,并分析了空洞大小和横向位置偏差对器件性能的影响,为器件结构设计提供了指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
2	吴大可	北京大学微电子学研究所	2	10	2.0	2.0
3	卜伟海	北京大学微电子学研究所	5	7	2.0	2.0
4	田豫	北京大学微电子学研究所	4	4	2.0	2.0