AlGaN/GaN基HBTs的高频特性模拟

• 作者: 冉军学 曾一平 李晋闽 王军喜 王晓亮 王翠梅
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: HBTs AlGaN/GaN 截止频率 最高振荡频率
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 147-150
• 页数: 4页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 2255字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.039

摘要

对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性进行了模拟计算,分析了发射区、基区、集电区的一些材料参数对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性的影响.发现基区的设计对频率性能影响很大,减小基区厚度、增大空穴浓度和迁移率将有效提高HBTs的频率性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓亮	中国科学院半导体研究所	38	212	9.0	12.0
2	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
3	曾一平	中国科学院半导体研究所	85	439	11.0	16.0
4	王翠梅	中国科学院半导体研究所	9	34	3.0	5.0
5	王军喜	中国科学院半导体研究所	32	155	8.0	10.0
6	冉军学	中国科学院半导体研究所	7	32	3.0	5.0