成像干涉光刻技术与离轴照明光刻技术的对比分析

• 作者: 冯伯儒 刘娟 张锦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 倾斜照明 成像干涉光刻技术 离轴照明技术 光刻技术
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1480-1484
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 字数: 2880字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.07.037

摘要

作为分辨率增强技术(RET)之一,离轴照明技术(OAI)通过调整照明方式,不但能提高分辨率还能很好地改善焦深.成像干涉光刻技术(ⅡL)利用多次曝光分别记录物体空间频率的不同部分,极大地提高了成像质量,其中大角度倾斜照明是对OAI的扩展.从成像原理和频域范围的角度对ⅡL和OAI进行了理论研究、计算模拟和对比分析.结果表明,在同样条件下,ⅡL相对于OAI可更好地分辨细微特征.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘娟	中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室	43	249	9.0	13.0
5	张锦	中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室	26	204	8.0	13.0
6	冯伯儒	中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室	30	293	9.0	16.0