新型InSb-In薄膜磁阻式振动传感器的设计

• 作者: 李敏毅 王蕊 黄钊洪
• 来源期刊: 传感器技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磁阻效应 薄膜 振动传感器 二维
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 设计与制造
• 页码范围: 54-56
• 页数: 3页
• 分类号: TP212
• 字数: 2147字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9787.2005.07.020

摘要

介绍了一种用InSb-In共晶体薄膜磁敏元件制成的准全方位振动传感器.它由两对对称轴方向互相垂直的InSb-In磁敏元件构成,可将检测方位范围由一维扩展到现在的二维平面,并用单片机P87LPC760对传感器信号进行处理,应用中可提高检测信号的准确性.经实测, 在机械振动的中低频率检测范围内,传感器的有效频带不窄于4～760Hz,其通频带内信噪比为30～32dB,经换算得灵敏度为16mV/gn.同时,得到传感器振动强度大小与磁敏电阻器输出信号关系曲线.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄钊洪	华南师范大学华南量子电子学研究所	28	175	8.0	12.0
2	李敏毅		14	123	5.0	11.0
3	王蕊	华南师范大学华南量子电子学研究所	3	16	2.0	3.0