Al含量对GaN/Alx Ga1-x N量子点中激子态的影响

• 作者: 戴宪起 郑冬梅 黄凤珍
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子点 自发极化和压电极化 电子-空穴复合率 激子结合能
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 697-701
• 页数: 5页
• 分类号: O472+.3
• 字数: 3338字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.04.012

摘要

利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场和量子点的三维约束效应,研究了Al含量对局域在GaN/AlxGa1xN量子点中激子性质的影响.结果表明,随着Al含量的增加,GaN/AlxGa1-xN异质界面处的导带不连续性增强,势垒变高,载流子受到的约束增强,激子结合能增加,电子-空穴的复合率先增大后减小,且存在最大值.对给定体积的量子点,随其高度的变化激子结合能存在最大值,相应的电子-空穴被最有效约束,激子态最稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴宪起	河南师范大学物理系	42	133	6.0	9.0
2	黄凤珍	河南师范大学物理系	5	29	2.0	5.0
3	郑冬梅	河南师范大学物理系	2	26	2.0	2.0