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摘要:
设计并制备了一个CMOS工艺兼容的温湿度传感器,讨论了感湿理论模型并用COVENTOR软件进行了模拟,给出了具体的结构参数及工艺制作步骤,最后对温湿度传感器进行了测量,对理论值和实际测量值做了比较并给出了分析结果.结果表明,传感器在25℃时的灵敏度为0.015pF/%RH,从15%RH~95%RH,电容实际变化量为1.23pF.
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内容分析
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文献信息
篇名 CMOS工艺兼容的温湿度传感器
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 温湿度传感器 聚酰亚胺 电容型
年,卷(期) 2005,(7) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1428-1433
页数 6页 分类号 TP212.12
字数 3610字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.07.027
五维指标
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研究主题发展历程
节点文献
温湿度传感器
聚酰亚胺
电容型
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
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