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CMOS工艺兼容的温湿度传感器
CMOS工艺兼容的温湿度传感器
作者:
张中平
彭韶华
秦明
黄庆安
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
温湿度传感器
聚酰亚胺
电容型
摘要:
设计并制备了一个CMOS工艺兼容的温湿度传感器,讨论了感湿理论模型并用COVENTOR软件进行了模拟,给出了具体的结构参数及工艺制作步骤,最后对温湿度传感器进行了测量,对理论值和实际测量值做了比较并给出了分析结果.结果表明,传感器在25℃时的灵敏度为0.015pF/%RH,从15%RH~95%RH,电容实际变化量为1.23pF.
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篇名
CMOS工艺兼容的温湿度传感器
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
温湿度传感器
聚酰亚胺
电容型
年,卷(期)
2005,(7)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1428-1433
页数
6页
分类号
TP212.12
字数
3610字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2005.07.027
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主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
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英文译名:
The National High Technology Research and Development Program of China
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