深亚微米pMOS器件HCI退化建模与仿真方法

• 作者: 刘红侠 方建平 李康 薛鸿民 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: HCI 时变栅电流模型 BSIM3v3 可靠性仿真
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2169-2174
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.2
• 字数: 4222字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.11.024

摘要

研究了深亚微米pMOS器件HCI(hot carrier injeotion)退化模型.采用流函数分析方法提出一种时变栅电流物理描述,基于这一栅电流模型改进了pMOS器件的HCI退化模型,并在该模型基础上提出一种HCI退化可靠性仿真方法,用于对静态应力条件下器件的HCI退化程度进行预测.最后给出了仿真结果对比.该方法已被用于XDRT可靠性工具中进行器件HCI退化分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	李康	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	21	146	7.0	11.0
3	刘红侠	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
4	薛鸿民	陕西教育学院计算机系	10	49	5.0	7.0
5	方建平	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	13	118	6.0	10.0