镜像法分析静电感应晶体管特性

• 作者: 李思渊 王永顺 胡冬青
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 静电感应晶体管 镜像法 I-V特性
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 258-265
• 页数: 8页
• 分类号: TN32
• 字数: 2403字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.02.008

摘要

针对埋栅型静电感应晶体管(SIT)提出一种柱栅模型.用镜像法计算了器件内电势分布,并在此基础上计算了沟道势垒、栅效率、电压放大因子等.结果表明:沟道势垒直接取决于沟道过夹断因子;栅效率随栅尺寸和位移栅压的减小而减小,并随位移栅压一起趋向于0;在小电流情况下电压放大因子随电流的增大而增大,到一定数值后,电压放大因子趋于常数.最后给出了SIT I-V特性解析表达式,它既适用于类三极管特性(加大栅压下)也适用于混合特性(较小栅压下),且由此得到的I-V特性曲线和实验符合较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡冬青	兰州大学物理科学与技术学院静电感应器件研究所	7	67	5.0	7.0
2	李思渊	兰州大学物理科学与技术学院静电感应器件研究所	25	113	7.0	9.0
3	王永顺	兰州大学物理科学与技术学院静电感应器件研究所	8	67	5.0	8.0