CMOS低噪声放大器中噪声的系统研究方法

• 作者: 冯东 石秉学
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 放大器噪声 沟道噪声 沟道电阻 感应栅噪声 低噪声放大器 噪声优化
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 487-493
• 页数: 7页
• 分类号: TN402
• 字数: 2945字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.03.012

摘要

采用系统研究方法来分析包括MOS器件的沟道噪声和感应栅噪声在内的CMOS低噪声放大器中的噪声,并提出了一个新的噪声系数解析式.基于此解析式,讨论了分布栅电阻和内部沟道电阻对噪声性能的影响.对噪声性能进行了两种不同的优化,并应用于5.2GHz CMOS低噪声放大器的设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石秉学	清华大学微电子学研究所	42	298	10.0	16.0
2	冯东	清华大学微电子学研究所	4	10	3.0	3.0