Ga掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长及其特性

• 作者: 刘松民 叶建东 张荣 施毅 朱顺明 郑有炓 顾书林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌 掺杂 Burstein-Moss效应 能带重整化 金属有机化学气相外延
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1567-1571
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 3439字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.08.017

摘要

利用低压MOCVD技术在(0002)蓝宝石上外延获得高质量的ZnO:Ga单晶薄膜,并研究了Ga的不同掺杂浓度对材料电学和光学特性的影响.当Ga/Zn气相摩尔比为3.2 at%时,ZnO(0002)峰半高宽仅为0.26°,载流子浓度高达2.47×1019cm-3,透射率高于90%;当载流子浓度升高时,吸收边出现明显的Burstein-Moss蓝移效应.同时室温光致发光谱显示,紫外峰位随载流子浓度的增加而发生红移,峰形展宽,这和Ga高掺杂所引起的能带重整化效应有关.当Ga/Zn比达到6.3 at%时,由于高掺杂浓度下Ga的自补偿效应导致载流子浓度下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱顺明	江苏省光电功能材料重点实验室南京大学物理系	1	16	1.0	1.0
2	叶建东	江苏省光电功能材料重点实验室南京大学物理系	1	16	1.0	1.0
3	顾书林	江苏省光电功能材料重点实验室南京大学物理系	1	16	1.0	1.0
4	刘松民	江苏省光电功能材料重点实验室南京大学物理系	1	16	1.0	1.0
5	郑有炓	江苏省光电功能材料重点实验室南京大学物理系	3	23	2.0	3.0
6	张荣	江苏省光电功能材料重点实验室南京大学物理系	3	28	3.0	3.0