自旋1/2铁电膜表面和平均磁化强度的理论计算

• 作者: 杜安 田丽珍
• 来源期刊: 东北大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 铁电膜 自旋 Bethe-Peierls近似 平均场近似 磁化强度 转变温度
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 物理·化学
• 页码范围: 198-200
• 页数: 3页
• 分类号: O484.4+3
• 字数: 1981字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-3026.2005.02.026

摘要

利用在层内采用Bethe-Peierls近似、层间采用平均场近似的方法,计算了6个原子层和20个原子层构成的自旋1/2铁电膜的磁化强度.发现在不同的表面耦合强度下,薄膜的表面磁化和平均磁化有明显的不同,表面耦合强度小,表面磁化弱于整体磁化,否则表面磁化强于整体磁化,但薄膜的表面和整体具有相同的转变温度.对于较厚的薄膜,系统的整体磁化受表面耦合强度影响小,但在转变温度附近,强的表面耦合强度会带动薄膜的整体磁化.横向场抑制薄膜的自发磁化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜安	东北大学理学院	45	102	6.0	8.0
2	田丽珍	东北大学理学院	1	0	0.0	0.0