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摘要:
采用MBE方法生长了8nm基区的InGaP/GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管.在恒压恒流条件下均观察到了负阻特性并对其物理机制进行了讨论.推导出集电极电流Ic与VCE的关系表达式,讨论了负阻与器件结构和参数的关系.使用PSPICE模拟软件建立电路网表模型,代入推导出的IC-VCE公式进行模拟,模拟结果与器件的测量结果十分接近.
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一种新型结构的InGaP/GaAs负阻异质结晶体管
异质结双极晶体管
双基区晶体管
三端负阻器件
逻辑功能器件
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 负阻异质结晶体管的模拟与实验
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 异质结晶体管 负阻特性 薄基区 电路模拟
年,卷(期) 2005,(12) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 2416-2421
页数 6页 分类号 TN431
字数 2867字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.12.028
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 毛陆虹 天津大学电子信息工程学院微电子系 165 736 12.0 20.0
2 李建恒 天津大学电子信息工程学院微电子系 2 0 0.0 0.0
3 张世林 天津大学电子信息工程学院微电子系 109 334 8.0 11.0
4 郭维廉 天津大学电子信息工程学院微电子系 145 419 10.0 12.0
5 齐海涛 天津大学电子信息工程学院微电子系 27 319 10.0 17.0
6 梁惠来 天津大学电子信息工程学院微电子系 37 130 7.0 9.0
传播情况
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引文网络
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2005(2)
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2005(2)
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研究主题发展历程
节点文献
异质结晶体管
负阻特性
薄基区
电路模拟
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
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35317
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