GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析

• 作者: 张国义 杨志坚 潘尧波 王琦 章蓓 胡成余 胡晓东 陆敏 陆羽 陈伟华 黎子兰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN/AlGaN超晶格 透射电镜 激光剥离
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 28-31
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 1777字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.008

摘要

用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.