横场下Ising变磁体的基态性质

• 作者: 刘静 张起 顾永伟 魏国柱
• 来源期刊: 东北大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 横向磁场 Ising变磁体 平均场理论 一级相变 二级相变
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 711-714
• 页数: 4页
• 分类号: O482.52
• 字数: 2066字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-3026.2005.07.027

摘要

采用平均场理论研究了横场下双子晶格Ising变磁体的基态磁性质,计算了基态能量、纵向交错磁矩、纵向磁化率、横向磁矩等重要物理量.分别计算了施加不同横向磁场Ω时纵向交错磁矩ms,z0,纵向磁化率χt,z0和横向总磁矩mt,x0随纵向磁场的变化.结果表明,横向磁场的作用使系统的自旋由与平面垂直方向朝着与平面平行方向偏转,从而阻碍了自旋沿与平面垂直方向的反转.给出了纵向磁场h与横向磁场Ω平面的基态相图,确定了三相点的位置为hi=0.357 8,Ω=0.715 6.计算表明,在横向磁场较小而纵向磁场较大时,系统发生一级相变;在横向磁场较大而纵向磁场较小时,系统发生二级相变;横向磁场对Ising变磁体的基态磁性质有着重要影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏国柱	东北大学理学院	21	57	4.0	6.0
2	刘静	东北大学理学院	30	80	4.0	8.0
3	顾永伟	东北大学理学院	3	10	2.0	3.0
4	张起	东北大学理学院	2	5	2.0	2.0