高碳CZ硅中氧沉淀的两种成核长大机制

• 作者: 刘培东 姜益群 李立本 沈益军 阙端麟 黄笑容
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧沉淀 碳氧复合物 直拉硅 硅中氧 硅中碳
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 910-916
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 4156字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.05.012

摘要

应用红外光谱、高分辨透射电镜研究了高碳CZ硅中的氧沉淀.实验表明:高碳样品中有两种成核长大机制形成的氧沉淀,一是多碳中心的异质成核长大的氧沉淀,碳原子同时参与氧沉淀的成核和长大,红外光谱上1230cm-1处无氧沉淀的特征峰,TEM观察这种氧沉淀是10～30nm高密度的球状小沉淀;另一种氧沉淀类似于低碳样品中均匀成核长大的氧沉淀,它在红外光谱上1230cm-1处有吸收峰,TEM观察这种氧沉淀是100～300nm各种形态的大沉淀.热处理条件不同可以改变两种机制相互竞争的优势,低于900℃的热处理以异质成核为主,而只有经过1200℃高温预处理破坏异质核心后,再在900℃以上热处理时,均匀成核长大的氧沉淀才会占优势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘培东		1	1	1.0	1.0
2	姜益群		1	1	1.0	1.0
3	黄笑容		1	1	1.0	1.0
4	沈益军		1	1	1.0	1.0
5	李立本		1	1	1.0	1.0