不同参数溅射的ZnO薄膜硫化后的特性

• 作者: 张仁刚 张辉 王宝义 马创新 魏龙
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnS薄膜 磁控溅射 ZnO硫化 太阳电池
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 2389-2393
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2959字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.078

摘要

采用直流反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜,然后将它们在H2S气流中硫化得到ZnS薄膜.用x射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和UV-VIS透过光谱对ZnS薄膜样品进行了分析.结果表明,该ZnS薄膜为六角晶体结构,沿(002,晶面择优取向生长,其结晶状态和透过光谱与工作气压、Ar/O2流量比密切相关.当气压高于1 Pa时,得到厚度很小的ZnS薄膜;而气压低于1 Pa时,沉积的ZnO薄膜则不能全部反应生成ZnS.另外,当Ar/O2流量比低于4:1或高于4:1时,结晶状态都会变差.此外,由于ZnS薄膜具有高的沿(002,晶面择优取向的生长特性,使得退火或未退火ZnO薄膜硫化后的晶粒尺寸变化很小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王宝义	中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室	69	258	9.0	12.0
2	张辉	中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室	195	2226	23.0	39.0
3	魏龙	中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室	50	325	10.0	16.0
4	马创新	中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室	11	27	3.0	4.0
5	张仁刚	中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室	6	40	4.0	6.0