跨导为325mS/mm的AlGaN/GaN HFET器件

• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HFET 跨导 直流特性 场板
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1789-1792
• 页数: 4页
• 分类号: TN325
• 字数: 1393字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.09.021

摘要

报道了使用国产GaN外延材料(蓝宝石衬底)的AlGaN/GaN HFET器件的制备以及室温下器件的性能.器件栅采用场板结构,其中栅长为0.3μm,场板长为0.37μm,源漏间距为3μm.器件的饱和电流密度为0.572A/mm,最大漏电流密度为0.921A/mm,最大跨导为325mS/mm,由S参数外推出截止频率和最高振荡频率分别为27.9GHz和33.1GHz.