MOCVD外延生长高阻GaN薄膜材料

• 作者: 刘超 方测宝 曾一平 李建平 李成基 李晋闽 王军喜 王晓亮 王翠梅 胡国新
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD GaN 电阻率
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 91-93
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1603字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.024

摘要

采用MOCVD技术在非有意掺杂的条件下,在C面蓝宝石衬底上制备出了高阻的GaN单晶薄膜样品.用扫描电子显微镜和原子力显微镜分析样品显示GaN外延膜的表面十分平整,表面粗糙度仅有～0.3nm.样品的X射线双晶衍射摇摆曲线(0002)峰的半峰宽为5.22',证实所生长的GaN外延层具有较好的结晶质量.变温Hall测量发现样品的室温电阻率高达6.6×108Ω·cm,250℃下的电阻率约为106Ω·cm.