高密度体系光电离截面新表达式的应用

• 作者: 孙卫国 程延松 马晓光
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电离截面 光吸收截面 介电常数 极化率
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 1149-1155
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 6836字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.026

摘要

利用实验光谱学的Beer-Lambert定律和介质中的麦克斯韦方程组,建立了精确的光吸收(光电离)截面表达式,并通过一个随体系粒子数密度和宏观复介电常数而变化的变换函数,将严格截面公式与Fano和Cooper 1968年建立的理想气体的光电离截面公式直接联系起来.建议:1)当知道某密度下正确的体系宏观复介电常数β,γ时,可直接由严格表达式求得高密度下非理想状态的正确光电离截面;2)或当知道该体系的粒子微观极化率η,ζ和其理想气体的精确截面时,用上述变换公式间接求得其他密度时的光电离截面.对氩原子和氙原子的应用表明:当缺乏β,γ时,可由某一合理的宏观电极化率物理(例如克劳修斯-莫索缔)模型来计算β,γ,从而获得高密度体系的截面.这样获得的结果符合被散射物质的光电离(光吸收)截面随体系粒子数密度增大而增加的客观散射现象.而且,考虑了高密度真实体系中粒子间相互作用的宏观电极化率模型越正确,如此求得的散射截面的误差就越小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙卫国	四川大学原子与分子物理研究所	92	400	11.0	16.0
2	马晓光	四川大学原子与分子物理研究所	3	1	1.0	1.0
3	程延松	四川大学原子与分子物理研究所	3	1	1.0	1.0