p型GaN的掺杂研究

• 作者: 刘建平 张纪才 朱建军 杨辉 赵德刚 金瑞琴
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 掺杂 光致发光 热退火
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 508-512
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 3555字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.03.016

摘要

采用正交实验设计方法设计p型GaN的生长,通过较少的实验,优化了影响p型GaN性质的三个生长参数:Mg流量、生长温度和Ⅴ/Ⅲ比.过量的Mg源流量、过高的生长温度、过大的Ⅴ/Ⅲ比都会降低自由空穴浓度.还研究了退火温度对p型GaN的载流子浓度和光学性质的影响.实验结果表明,700～750℃范围为最佳退火温度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨辉	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	179	2701	25.0	46.0
2	刘建平	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	31	301	11.0	15.0
3	赵德刚	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	42	214	9.0	12.0
4	张纪才	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	7	43	3.0	6.0
5	朱建军	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	17	121	5.0	10.0
6	金瑞琴	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	2	25	2.0	2.0