一种提取电子束光刻中电子散射参数的新方法

• 作者: 刘明 康晓辉 李志刚 谢常青 陈宝钦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电子束光刻 临近效应 电子束临近效应校正
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 455-459
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 字数: 1322字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.03.006

摘要

在电子散射能量沉积为双高斯分布的前提下,提出了一种提取电子束光刻中电子散射参数α,β和η的新方法.该方法使用单线条作为测试图形.为了避免测定光刻胶的显影阈值,在实验数据处理中使用归一化方法.此外,用此方法提取的电子散射参数被成功地用于相同实验条件下的电子束临近效应校正.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	207	1983	20.0	38.0
2	陈宝钦	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	50	361	11.0	16.0
3	李志刚	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	103	1906	24.0	41.0
4	谢常青	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	50	258	9.0	12.0
5	康晓辉	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	4	21	3.0	4.0