SiGe/Ge/SiGe异质结构中自旋极化输运特性的模拟

• 作者: 余志平 田立林 邹建平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 自旋场效应晶体管 Rashba自旋轨道相互作用 蒙特卡罗方法
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 299-303
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 4202字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.02.015

摘要

利用蒙特卡罗方法对SiGe/Ge/SiGe异质结构的自旋极化输运特性进行了模拟研究.在Ge沟道调制掺杂异质结构形成的二维空穴气中,空穴的自旋进动主要受Rashba自旋轨道相互作用控制.在77～300K的温度范围内,对自旋散射长度、自旋极化率等自旋极化输运特性进行了研究.模拟结果显示,低温和窄宽度沟道有利于减小散射对自旋极化输运的影响,避免自旋极化率衰减,增大自旋散射长度.栅控的漏端电流自旋相关效应使器件跨导增大,并产生负跨导效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余志平	清华大学微电子学研究所	45	158	7.0	10.0
2	田立林	清华大学微电子学研究所	31	116	6.0	8.0
3	邹建平	清华大学微电子学研究所	2	11	2.0	2.0