Si基氨化ZnO/Ga2O3薄膜制备GaN纳米线

• 作者: 何建廷 吴玉新 庄惠照 王书运 田德恒 董志华 薛成山 高海永
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN纳米线 ZnO/Ga2O3薄膜 射频磁控溅射 氨化
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 931-935
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2815字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.05.016

摘要

利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3薄膜,然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO/Ga2O3薄膜进行氨化,高温下ZnO层在氨气气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米线.X射线衍射测量结果表明利用该方法制备的GaN纳米线具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、傅里叶红外透射谱、能量弥散谱及选区电子衍射观测并分析了样品的形貌、成分和晶格结构.研究发现ZnO层的挥发有利于Ga2O3和NH3反应合成GaN纳米线.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王书运	山东师范大学半导体研究所	57	450	11.0	19.0
2	庄惠照	山东师范大学半导体研究所	72	276	9.0	11.0
3	薛成山	山东师范大学半导体研究所	117	476	11.0	13.0
4	高海永	山东师范大学半导体研究所	13	37	4.0	5.0
5	董志华	山东师范大学半导体研究所	11	32	4.0	4.0
6	何建廷	山东师范大学半导体研究所	10	61	5.0	7.0
7	田德恒	山东师范大学半导体研究所	9	42	4.0	6.0
8	吴玉新	山东师范大学半导体研究所	8	26	3.0	5.0