热退火对多晶硅特性的影响

• 作者: 任丙彦 励旭东 勾宪芳 王文静 许颖 马丽芬
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 氧 寿命
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2294-2297
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 375字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.12.007

摘要

为研究热退火对太阳电池用多晶硅的影响,在750～1150℃,N2和O2环境下分别对硅片进行热处理.用傅里叶红外光谱仪和准稳态光电导衰减法测量退火前后的氧碳含量和少子寿命的变化.为了比较,对有相同氧碳含量的直拉硅片进行同样处理.结果发现:在多晶和单晶片中氧碳含量下降很小,意味着没有氧沉淀产生,晶界对碳行为影响不大.多晶硅片在N2和O2环境下,850、950和1150℃下退火,少子寿命都有很大提高,并且在O2中退火比N2中退火少子寿命上升得更多,可能由于在高温退火时大量杂质扩散到晶界处,减少了复合中心.另外,间隙硅原子填充了空位或复合中心从而导致寿命提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任丙彦	河北工业大学半导体研究所	31	241	9.0	14.0
2	王文静		4	11	2.0	3.0
3	励旭东		3	35	3.0	3.0
4	许颖		3	31	3.0	3.0
5	勾宪芳	河北工业大学半导体研究所	4	30	3.0	4.0
7	马丽芬	河北工业大学半导体研究所	4	30	3.0	4.0