Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE InN表面形貌的影响

• 作者: 刘宏新 吴荣汉 张南红 徐应强 曾一平 李晋闽 王军喜 王晓亮 肖红领 韩勤
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InN RF-MBE XRD
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 16-19
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1759字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.005

摘要

由于生长InN所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此在生长InN时In原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.通过研究Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RFMBE生长InN外延膜表面形貌的影响,发现Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对InN外延膜表面In滴的量有重要影响.通过选择合适的Ⅴ/Ⅲ比和生长温度,得到了表面平整光亮、无In滴的InN外延膜.