厚度对Si衬底上生长的ZnO薄膜性能的影响

• 作者: 曾一平 段垚 沈文娟 王俊 王启元
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机化学气相沉积 X射线衍射 锌化合物 光致发光谱
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2069-2073
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 953字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.11.005

摘要

采用金属有机化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长出具有高度C轴择优取向的ZnO薄膜.通过X射线衍射、原子力显微镜和室温光致发光谱研究了厚度对ZnO薄膜的结构、表面和光学性能的影响.X射线衍射图显示ZnO薄膜只有单一的(0002)峰,具有高度择优取向.AFM和PL测试表明,在取样薄膜厚度范围内,薄膜的表面质量和发光性能没有随着薄膜厚度的增加而提高.这是因为薄膜在厚度增加的生长过程中,生长模型变化且晶粒增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王俊	中国科学院半导体研究所材料中心	130	1155	16.0	27.0
2	曾一平	中国科学院半导体研究所材料中心	85	439	11.0	16.0
3	王启元	中国科学院半导体研究所材料中心	10	77	4.0	8.0
4	段垚	中国科学院半导体研究所材料中心	5	13	3.0	3.0
5	沈文娟	中国科学院半导体研究所材料中心	2	5	1.0	2.0