碲锌镉晶片中位错与Te沉淀的透射电子显微分析

• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 透射电子显微镜 棱柱位错环 Te沉淀
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1760-1763
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+6
• 字数: 2173字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.09.015

摘要

采用透射电子显微镜对碲锌镉晶体材料的缺陷特性进行了分析,观察并研究了碲锌镉晶体中Te沉淀相形貌和Te沉淀周围的棱柱位错环.认为棱柱位错的形成是由Te沉淀相的析出引起的,而沉淀相在基体中的析出与基体形成错配应力,又造成位错的增殖.Te沉淀与棱柱位错两种缺陷是相互依存的.