大功率GaInP/AlGaInP半导体激光器

• 作者: 宋国峰 徐云 曹青 李玉璋 杨国华 甘巧强 郭良 陈良惠
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 AlGaInP可见光激光器 应变量子阱
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2213-2217
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1924字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.11.031

摘要

制备了大功率实折射率GaInP/AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器.所用外延材料在15°偏角的GaAs衬底上由有机金属气相外延一次外延生长得到.制备的激光器具有双沟脊波导结构,条宽和腔长分别为3和900μm,前后端面分别蒸镀5%的增透膜和95%的高反膜.分析了室温连续激射时激光器的光电输出性能.阈值电流的典型值为32mA,光学灾变阈值为88mW,功率为80mW时的工作电流为110mA,斜率效率为1W/A,串联电阻为3Ω.基横模光输出功率可达60mW,60mW时的平行结和垂直结的远场发散角分别为10°和32°,激射波长为658.4nm.器件的内损耗为4.1cm-1,内量子效率达80%,透明电流密度为648A/cm2.