B在SiGe中的应变补偿作用

• 作者: 姚飞 左玉华 张建国 成步文 李传波 毛容伟 王启明 罗丽萍 薛春来
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe 应变补偿 掺杂
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 39-41
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 1809字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.011

摘要

用超高真空化学气相淀积方法生长出不同硼(B)掺杂浓度的应变SiGe合金材料,研究了B对SiGe合金的应变补偿作用.结果表明,B的掺入使SiGe的应变减小,B对Ge的应变补偿率为7.3,即平均掺入1个B原子可以补偿7.3个Ge原子引起的应变.同时获得B的晶格收缩系数为6.23×10-24cm3/atom.