立方相β-GaN纳米晶的气相化学反应制备研究

• 作者: 方鲲 曹传宝 朱鹤孙 邱海林 高善民
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 立方相 纳米晶
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2267-2271
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3156字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.055

摘要

在氮气氛中,以GaP纳米晶为原料,在相对较低的反应温度下,通过N-P取代的气相化学反应制备立方相β-GaN纳米晶.这是由于GaP纳米晶具有较大的比表面积和表面众多的空位键,使之具有较高的反应活性造成的.不同升温速率造成不同的化学反应机理,从而生成不同形貌的β-GaN纳米晶材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹传宝	北京理工大学材料科学研究中心	65	754	16.0	23.0
2	朱鹤孙	北京理工大学材料科学研究中心	81	1121	19.0	28.0
3	方鲲	北京理工大学材料科学研究中心	21	416	10.0	20.0
7	邱海林	北京理工大学材料科学研究中心	4	49	3.0	4.0
8	高善民	烟台师范学院化学与材料科学学院	7	21	3.0	4.0