低温近场光学显微术对InGaN/GaN多量子阱电致发光温度特性的研究

• 作者: 刘纪美 徐耿钊 朱星 梁琥 白永强
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaN/GaN多量子阱 发光二极管 近场光学 低温
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5344-5349
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 5176字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.062

摘要

使用实验室自制的低温近场光学显微镜研究了InGaN/GaN多量子阱发光二极管在室温和液氮温度下的近场光学像和近场光谱,发现随着温度的降低,不仅近场光学像的光强起伏大大减小,量子阱发光峰先蓝移后红移,而且在液氮温度下在光子能量更高的位置上出现了新的发光峰.通过对实验结果的分析,我们将这个新出现的峰归结为p-GaN层中导带底-受主能级间跃迁形成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱星	北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室	67	236	8.0	14.0
2	刘纪美	香港科技大学电子工程系光子学技术中心	3	5	1.0	2.0
3	白永强	北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室	4	28	4.0	4.0
4	徐耿钊	北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室	2	56	2.0	2.0
5	梁琥	香港科技大学电子工程系光子学技术中心	1	5	1.0	1.0