抛光液中缓蚀剂对铜硅片的影响

• 作者: 康仁科 李秀娟 苏建修 郭东明 金洙吉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 ULSI 抛光液 缓蚀剂
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2259-2263
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 3231字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.11.039

摘要

以硝酸铁为氧化剂选用不同缓蚀剂对铜化学机械抛光用抛光液的缓蚀效果进行了研究.通过测试不同缓蚀剂作用下铜的电化学极化曲线,来获得的腐蚀电流值和计算不同缓蚀剂的缓蚀效率.采用表面粗糙度为1.42nm的铜硅片进行静腐蚀和抛光实验,利用ZYGO粗糙度仪测试了硅片表面的粗糙度变化,并采用原子力显微镜分析腐蚀表面形貌.研究结果表明,在以硝酸铁为氧化剂的酸性环境中,苯丙氮三唑(BTA)作为铜抛光液的缓蚀剂具有良好的缓蚀效果.根据电化学参数计算出1.5wt%硝酸铁溶液中添加0.1wt%BTA的缓蚀率达99.1%;无论在静腐蚀还是在抛光过程中,在抛光液中添加BTA均可避免硅片严重腐蚀,使表面光滑.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康仁科	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	165	2562	24.0	44.0
2	郭东明	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	273	4547	35.0	54.0
3	金洙吉	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	105	1334	18.0	32.0
4	苏建修	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	13	523	10.0	13.0
5	李秀娟	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	12	204	8.0	12.0