输出功率密度为2.23W/mm的X波段AlGaN/GaN功率HEMT器件

• 作者: 冉军学 刘新宇 曾一平 李建平 李晋闽 王军喜 王晓亮 王翠梅 胡国新 郑英奎 钱鹤 马志勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 MOCVD 功率器件
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1865-1870
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 1392字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.10.001

摘要

MOCVD技术在蓝宝石衬底上制备出具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/GaN HEMT材料.高迁移率GaN外延层的室温迁移率达741cm2/(V·s),相应背景电子浓度为1.52×1016cm-3;非有意掺杂高阻GaN缓冲层的室温电阻率超过108Ω·cm,相应的方块电阻超过1012Ω/□.50mm HEMT外延片平均方块电阻为440.9Ω/□,方块电阻均匀性优于96％.用此材料研制出了0.2μm栅长的X波段HEMT功率器件,40μm栅宽的器件跨导达到250mS/mm,特征频率fT为77GHz;0.8mm栅宽的器件电流密度达到1.07A/mm,8GHz时连续波输出功率为1.78W,相应功率密度为2.23W/mm,线性功率增益为13.3dB.